ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET / MOSFET)

මෙය විෂය නිර්දේශයේ පිහිටන තැන

වසර 2 · වාරය 2

පුනරාවර්තනය සඳහා ප්‍රධාන කරුණු

සංක්ෂිප්ත, විභාගයට සූදානම් ප්‍රධාන කරුණු සමඟ ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET / MOSFET) ඉක්මනින් පුනරාවර්තනය කරන්න

උ/පෙළ භෞතික විද්‍යාව ගැන: උසස් පෙළ භෞතික විද්‍යා විෂය නිර්දේශය අධ්‍යයන වර්ෂ දෙකක් හරහා ව්‍යුහගත වී ඇත.

• ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටරය (FET): ද්වාරය (Gate) අග්‍රයට යොදන විද්‍යුත් ක්ෂේත්‍රයක් මගින් කාණු (Drain) සිට ප්‍රභවය (Source) දක්වා ගලන ධාරාව පාලනය කරන වෝල්ටීයතා පාලිත ඒකධ්‍රැව උපාංගයකි.
• JFET සැකැස්ම: n-කාණු JFET එකක ද්වාරය සහ ප්‍රභවය නිරතුරුව පසු නැඹුරු කෙරේ (Vgs ≤ 0); ආදාන ප්‍රතිරෝධය අතිශය ඉහළය (> 10⁸ Ω) සහ ද්වාර ධාරාව ශූන්‍ය වේ (Ig ≈ 0).
• පිංච්-ඕෆ් වෝල්ටීයතාව (Vp): ක්ෂය ස්ථර එකිනෙක ගැටී කාණු ධාරාව Id සංතෘප්ත වන අවස්ථාවයි.
• MOSFET: ද්වාරය සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් (SiO2) පරිවාරක ස්ථරයකින් වෙන් කර ඇති බැවින් අතිවිශාල ආදාන ප්‍රතිරෝධයක් (> 10¹² Ω) සහිත වේ.

Must know

• BJT සහ FET වෙනස්කම්: BJT ධාරා පාලිත ද්විධ්‍රැව උපාංගයකි; FET වෝල්ටීයතා පාලිත ඒකධ්‍රැව උපාංගයක් වන අතර ඉතා ඉහළ ආදාන ප්‍රතිරෝධයක් සහ අඩු තාප ඝෝෂාවක් ඇත.
• JFET සඳහා ෂොක්ලිගේ සමීකරණය: Id = Idss · [1 - (Vgs / Vp)]².
• MOSFET ස්ථිති විද්‍යුත් සංවේදීතාව: සිහින් SiO2 ස්ථරය ස්ථිති විද්‍යුත් විසර්ජන මගින් පහසුවෙන් විනාශ විය හැකි බැවින් ප්‍රතිස්ථිතික ආවරණවල ගබඩා කරයි.

මූලාශ්‍රය: NIE G.C.E. (A/L) Physics Resource Book - Unit 9: Electronics

මුලින්ම මේවා ඉගෙන ගන්න

ඊළඟට යොමු වන්නේ

අදාළ මාතෘකා

විෂය නිර්දේශයේ