புலவிளைவு டிரான்சிஸ்டர்கள் (FET / MOSFET)

இது பாடத்திட்டத்தில் எங்கே

ஆண்டு 2 · தவணை 2

மீள்பார்வைக்கான முக்கிய புள்ளிகள்

சுருக்கமான, தேர்வுக்குத் தயாரான முக்கியப் புள்ளிகளுடன் புலவிளைவு டிரான்சிஸ்டர்கள் (FET / MOSFET) ஐ விரைவாக மீள்பார்வை செய்யுங்கள்

உ/த இயற்பியல் பற்றி: உயர் தர இயற்பியல் பாடத்திட்டம் இரண்டு கல்வி ஆண்டுகளில் கட்டமைக்கப்பட்டுள்ளது.

• புலவிளைவு திரான்சிஸ்டர் (FET): வாயில் (Gate) வோல்ற்றளவினால் பாயும் மின்னோட்டத்தைக் கட்டுப்படுத்தும் ஒருமுனைய வோல்ற்றளவுக் கட்டுப்பாட்டு சாதனம்.
• JFET வடிவமைப்பு: Gate-Source சந்தி எப்போதும் பின்னோக்குக் கோடலில் இருக்கும் (Vgs ≤ 0); உள்ளீட்டுத் தடை மிக அதிகம் (> 10⁸ Ω), வாயில் மின்னோட்டம் பூச்சியம் (Ig ≈ 0).
• கிள்ளுகை வோல்ற்றளவு (Vp): குறைப்புப் பிரதேசங்கள் சந்தித்து வடிகால் மின்னோட்டம் Id நிரம்பலடையும் வோல்ற்றளவு.
• MOSFET: வாயில் மெல்லிய SiO2 காப்புப் படையால் பிரிக்கப்பட்டிருப்பதால் முடிவிலிக்கு அருகிலான உள்ளீட்டுத் தடையைக் (> 10¹² Ω) கொண்டிருக்கும்.

Must know

• BJT vs FET ஒப்பீடு: BJT மின்னோட்டக் கட்டுப்பாடு மற்றும் இருமுனையம்; FET வோல்ற்றளவுக் கட்டுப்பாடு, ஒருமுனையம் மற்றும் மிக உயர் உள்ளீட்டுத் தடை கொண்டது.
• ஷாக்லியின் சமன்பாடு: Id = Idss · [1 - (Vgs / Vp)]².
• MOSFET நிலைமின் உணர்திறன்: மிக மெல்லிய SiO2 படலம் நிலைமின்னிறக்கத்தால் சேதமடையக்கூடும் என்பதால் நிலைமின் எதிர்ப்புப் பொருட்களில் வைக்கப்படும்.

ஆதாரம்: NIE G.C.E. (A/L) Physics Resource Book - Unit 9: Electronics

முதலில் இவற்றைக் கற்கவும்

இதற்கு வழிவகுக்கிறது

தொடர்புடைய தலைப்புகள்

பாடத்திட்டத்தில்