ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET / MOSFET)
උ/පෙළ භෞතික විද්‍යාව සඳහා ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET / MOSFET) හි මූලික සංකල්ප සරලව ඉගෙන ගන්න · NIE විෂය නිර්දේශයට අනුකූලයි
මෙය විෂය නිර්දේශයේ පිහිටන තැන
වසර 2 · වාරය 2
ඔබ ඉගෙන ගන්නා දේ
උ/පෙළ භෞතික විද්‍යාව සඳහා ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET / MOSFET) හි මූලික සංකල්ප සරලව ඉගෙන ගන්න
උ/පෙළ භෞතික විද්‍යාව ගැන: උසස් පෙළ භෞතික විද්‍යා විෂය නිර්දේශය අධ්‍යයන වර්ෂ දෙකක් හරහා ව්‍යුහගත වී ඇත.
ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටරය (FET): ද්වාරය (Gate) අග්‍රයට යොදන විද්‍යුත් ක්ෂේත්‍රයක් මගින් කාණු (Drain) සිට ප්‍රභවය (Source) දක්වා ගලන ධාරාව පාලනය කරන වෝල්ටීයතා පාලිත ඒකධ්‍රැව උපාංගයකි. JFET සැකැස්ම: n-කාණු JFET එකක ද්වාරය සහ ප්‍රභවය නිරතුරුව පසු නැඹුරු කෙරේ (Vgs ≤ 0); ආදාන ප්‍රතිරෝධය අතිශය ඉහළය (> 10⁸ Ω) සහ ද්වාර ධාරාව ශූන්‍ය වේ (Ig ≈ 0). පිංච්-ඕෆ් වෝල්ටීයතාව (Vp): ක්ෂය ස්ථර එකිනෙක ගැටී කාණු ධාරාව Id සංතෘප්ත වන අවස්ථාවයි.
MOSFET: ද්වාරය සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් (SiO2) පරිවාරක ස්ථරයකින් වෙන් කර ඇති බැවින් අතිවිශාල ආදාන ප්‍රතිරෝධයක් (> 10¹² Ω) සහිත වේ.
පරීක්ෂක ලකුණු කිරීමේ පිරික්සුම් (උ/පෙළ භෞතික විද්‍යාව)
- BJT සහ FET වෙනස්කම්: BJT ධාරා පාලිත ද්විධ්‍රැව උපාංගයකි; FET වෝල්ටීයතා පාලිත ඒකධ්‍රැව උපාංගයක් වන අතර ඉතා ඉහළ ආදාන ප්‍රතිරෝධයක් සහ අඩු තාප ඝෝෂාවක් ඇත.
- JFET සඳහා ෂොක්ලිගේ සමීකරණය: Id = Idss · [1 - (Vgs / Vp)]².
- MOSFET ස්ථිති විද්‍යුත් සංවේදීතාව: සිහින් SiO2 ස්ථරය ස්ථිති විද්‍යුත් විසර්ජන මගින් පහසුවෙන් විනාශ විය හැකි බැවින් ප්‍රතිස්ථිතික ආවරණවල ගබඩා කරයි.
මූලාශ්‍රය: NIE G.C.E. (A/L) Physics Resource Book - Unit 9: Electronics & DoE Examination Guidelines
මුලින්ම මේවා ඉගෙන ගන්න
ඊළඟට යොමු වන්නේ
අදාළ මාතෘකා
විෂය නිර්දේශයේ
අද ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET / MOSFET) ඉගෙනීම ආරම්භ කරන්න
නොමිලේ AI අධ්‍යයන උපදේශක, දෛනික සැලසුම් සහ පුහුණු ප්‍රශ්න. ගෙවීම් අවශ්‍ය නැත.
නොමිලේ ගිණුමක් සාදන්න නොමිලේ ප්‍රශ්නාවලිය